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RB085B-90_11

更新时间： 2024-01-13 20:28:36

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	1083K
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Schottky Barrier Diode

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RB085B-90_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB085B-90

Application

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

6.0

General rectification

Features

1.6

1)Power mold type.(CPD)

2)Low V_F

3)High reliability

2.3 2.3

CPD

Construction

Structure

(2)

Silicon epitaxial planar

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

Manufacture Date

(1) (3)

Taping dimensions(Unit : mm)

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak(60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, Tc=85C Max.

Electrical characteristic(Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.83

150

6.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=5.0A

V_R=90V

I_R

μA

Thermal impedance

junction to case

jc

C/W

www.rohm.com

2011.04 - Rev.C

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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