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RB085B-40_11

更新时间： 2024-01-11 10:25:27

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	1058K
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Schottky barrier diode

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RB085B-40_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB085B-40

Applications

 Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

6.0

General rectification

Features

1.6

1) Power mold type. (CPD)

2) Low V_F

3) High reliability

2.3 2.3

CPD

Construction

Structure

(2)

Silicon epitaxial planar

(1) (3)

Taping dimensions (Unit : mm)

 Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltag (DC)

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak(60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1) Rating of per diode : Io/2

 Electrical characteristic (Ta=25C)

Parameter

Conditions

I_F=5.0A

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.55

200

6.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

Thermal impedance

I_R

V_R=40V

A

junction to case

jc

C/W

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

1/3

12 3 4

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