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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.38 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 26.7 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| R6020ENX | ROHM |
类似代替  |
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| TK20A60U | TOSHIBA |
功能相似 |
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R6020ANX_12 | ROHM |
获取价格 |
Nch 600V 20A Power MOSFET |
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| R6020ANZ | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET |
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| R6020ANZC8 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| R6020ENJ | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| R6020ENX | ROHM |
获取价格 |
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| R6020ENZ | ROHM |
获取价格 |
R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS |
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| R6020ENZ4 | ROHM |
获取价格 |
R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS |
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| R6020FNX | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET |
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| R6020JNJ | ROHM |
获取价格 |
R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications. |
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| R6020JNX | ROHM |
获取价格 |
R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switchi |
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