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R6020FNX

更新时间： 2024-09-28 09:39:39

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
10V Drive Nch MOSFET

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R6020FNX 数据手册

Data Sheet

10V Drive Nch MOSFET

R6020FNX

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

TO-220FM

Silicon N-channel MOSFET

10.0

φ3.2

4.5

2.8

Features

1.2

1) Fast reverse recovery time (t_rr)

2) Low on-resistance.

1.3

0.8

3) Fast switching speed.

4) Gate-source voltage

ꢀ V_GSSgaranteed to be ±30V .

5) Drive circuits can be simple.

6) Parallel use is easy.

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

2.54

0.75

2.6

( ) ( ) ( )

1 2 3

Application

Switching

Inner circuit

∗1

Packaging specifications

Package

Bulk

500



Type

Basic ordering unit (pieces)

R6020FNX

(1)

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

1 BODY DIODE

Absolute maximum ratings (Ta  25°C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

600

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

30

Continuous

Pulsed

20

Drain current

I_DP

80

Continuous

Pulsed

I_S

Source current

(Body Diode)

I_SP

Avalanche Current

Avalanche Energy

I_AS

E_AS

P_D

26.7

C

Power dissipation (Tc=25C)

Channel temperature

T_ch

T_stg

150

Range of storage temperature

55 to 150

*1 Pw10s, Duty cycle1%

*2 L≒500μH, V_DD=50V, R_G=25Ω, starting Tch=25°C

*3 Limited only by maximum temperature allowed.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_{th (ch-c)}

Limits

2.5

Unit

Channel to Case

C / W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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