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R6020JNZ4

更新时间： 2024-09-29 11:08:15

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罗姆 - ROHM		/
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14页	1474K
描述
R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.

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R6020JNZ4 数据手册

R6020JNZ4

Datasheet

ꢀꢀNch 600V 20A Power MOSFET

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

TO-247G

V_DSS

600V

0.234Ω

±20A

ꢀ

R_DS(on)(Max.)

ꢀ

I_D

ꢀ

P_D

252W

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llFeatures

llInner circuit

1) Fast reverse recovery time (trr)

2) Low on-resistance

3) Fast switching speed

4) Drive circuits can be simple

5) Pb-free plating ; RoHS compliant

llApplication

llPackaging specifications

Switching applications

Packing

Tube

C13

Packing code

Marking

R6020JNZ4

600

Basic ordering unit (pcs)

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

600

±20

±60

±30

4.8

Unit

V_DSS

Continuous drain current (T_c= 25°C)

I_D

I_DP

Pulsed drain current

V_GSS

Gate - Source voltage

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

Power dissipation (T_c= 25°C)

E_AS

618

252

150

℃

P_D

T_j

Junction temperature

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

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20181201 - Rev.001

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