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R6020JNJ

更新时间: 2024-11-12 11:08:43
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罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
14页 1572K
描述
R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.

R6020JNJ 数据手册

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R6020JNJ  
ꢀꢀNch 600V 20A Power MOSFET  
Datasheet  
ꢀꢀ  
llOutline  
LPT(S)  
VDSS  
600V  
0.234Ω  
±20A  
RDS(on)(Max.)  
ID  
PD  
252W  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
llFeatures  
llInner circuit  
1) Fast reverse recovery time (trr)  
2) Low on-resistance  
3) Fast switching speed  
4) Drive circuits can be simple  
5) Pb-free plating ; RoHS compliant  
llApplication  
llPackaging specifications  
Switching applications  
Packing  
Embossed Tape  
TL  
Packing code  
Marking  
R6020JNJ  
1000  
Quantity (pcs)  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Drain - Source voltage  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
V
VDSS  
*1  
Continuous drain current (Tc = 25°C)  
ID  
±20  
A
*2  
IDP  
Pulsed drain current  
±60  
A
VGSS  
Gate - Source voltage  
±30  
V
*3  
IAS  
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
Power dissipation (Tc = 25°C)  
4.8  
A
*3  
EAS  
618  
mJ  
W
PD  
Tj  
252  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
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www.rohm.com  
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20190527 - Rev.002  
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