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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.22 | 雪崩能效等级（Eas）： | 26.7 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R6020ANZC8 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| R6020ENJ | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| R6020ENX | ROHM |
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| R6020ENZ | ROHM |
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R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS |
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| R6020ENZ4 | ROHM |
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R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS |
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| R6020FNX | ROHM |
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10V Drive Nch MOSFET |
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| R6020JNJ | ROHM |
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R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications. |
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| R6020JNX | ROHM |
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R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switchi |
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| R6020JNZ | ROHM |
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R6020JNZ是低导通电阻且反向恢复时间(trr)短的功率MOSFET。R60xxJNx |
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| R6020JNZ4 | ROHM |
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R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switch |
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