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QS8J4

更新时间： 2024-02-25 11:01:24

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QS8J4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.64	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.056 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Data Sheet

QS8J4

ꢀ

 Measurement circuits

Pulse Width

10%

50%

90%

D.U.T.

10%

90%

10%

90%

^DStd(on)

td(off)

toff

Fig.1-2 Switching Waveforms

Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit

VGS

I^D

VDS

IG(Const.)

D.U.T.

Qgd

VDD

Charge

Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit

Fig.2-2 Gate Charge Waveform

www.rohm.com

5/5

2010.04 - Rev.A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QS8J4FRA	ROHM	获取价格	QS8J4FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application
QS8J4FRATR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
QS8J4HZG	ROHM	获取价格	QS8J4HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可
QS8J5	ROHM	获取价格	4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8K11	ROHM	获取价格	4V Drive Nch + Nch MOSFET
QS8K12	ROHM	获取价格	4V Drive Nch + Nch MOSFET
QS8K12TCR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.063ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
QS8K12TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
QS8K13	ROHM	获取价格	4V Drive Nch + Nch MOSFET
QS8K13TCR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.039ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta