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QS8J4

更新时间： 2024-01-20 09:04:24

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罗姆 - ROHM		驱动
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6页	338K
描述
4V Drive Pch + Pch MOSFET

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QS8J4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.64	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.056 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J4 数据手册

Data Sheet

QS8J4

10000

1000

100

150

100

Ta=25°C

V_DD= -15V

V_GS= -10V

R_G=10Ω

Pulsed

I_D= -2.0A

I_D= -4.0A

t_d(off)

t_f

Ta=25°C

t_d(on)

V_DD= -15V

I_D= -4.0A

R_G=10Ω

Pulsed

Ta=25°C

Pulsed

t_r

0.01

0.1

1 2 3 4

6 7 8 9 101112131415

GATE-SOURCE VOLTAGE : -V_GS[V]

DRAIN-CURRENT : -I_D[A]

TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]

Fig.12 Dynamic Input Characteristics

Fig.10 Static Drain-Source On-State

Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.11 Switching Characteristics

10000

1000

100

Ta=25°C

f=1MHz

_GS=0V

Ciss

Crss

Coss

0.01

0.1

100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V_DS[V]

Fig.13 Typical Capacitance

vs. Drain-Source Voltage

www.rohm.com

2010.04 - Rev.A

4/5

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