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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11 |
| 针数： | 9 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTORS |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 配置： | COMMON COLLECTOR, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X11 |
| 元件数量： | 3 | 端子数量： | 11 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QM100E3Y-HK | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, MODULE |
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| QM100HA-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HC-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
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| QM100HY-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HY2H | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| QM100HY-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| QM100HY-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| QM100TF-HB | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 13 Pin, MODUL |
|
| QM100TX1H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
|
| QM100TX1-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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