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QM100TF-HB

更新时间: 2024-11-17 10:21:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 156K
描述
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 13 Pin, MODULE-19

QM100TF-HB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X13
针数:19Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最大集电极电流 (IC):100 A
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-30 代码:R-PUFM-X13元件数量:6
端子数量:13最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

QM100TF-HB 数据手册

  

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