QM100HY-H

更新时间： 2024-11-15 22:07:35

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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QM100HY-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	100 A	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最大降落时间（tf）：	3000 ns
JESD-30 代码：	R-PUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	620 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES

QM100HY-H

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

QM100HY-H

• IC

Collector current ........................ 100A

• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V

• hFE DC current gain...............................75

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

(7)

φ6.5

Tab#110,

t=0.5

LABEL

Feb.1999

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QM100TF-HB	MITSUBISHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 13 Pin, MODUL
QM100TX1H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CEO \| 100A I(C)
QM100TX1-H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM100TX1HB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CEO \| 100A I(C)
QM100TX1-HB	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM10-14PA-CF	HRS	获取价格	QM (1.78mm-070) CONNECTORS
QM10-14PA-CFI	HRS	获取价格	QM (1.78mm-070) CONNECTORS
QM10-14PA-CS	HRS	获取价格	QM (1.78mm-070) CONNECTORS
QM10-14PA-CV	HRS	获取价格	QM (1.78mm-070) CONNECTORS
QM10-14PA-EP	HRS	获取价格	QM (1.78mm-070) CONNECTORS