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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QM100HA-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HC-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
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| QM100HY-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HY2H | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| QM100HY-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HY-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100TF-HB | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 13 Pin, MODUL |
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| QM100TX1H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| QM100TX1-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100TX1HB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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