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QIA0620004 PDF预览

QIA0620004

更新时间： 2024-01-09 07:45:49
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 130K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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QIA0620004 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24针数：24
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.89
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：200 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X24
元件数量：7端子数量：24
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

QIA0620004 数据手册

 浏览型号QIA0620004的Datasheet PDF文件第1页 
QIA0620004  
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood 15697 (724) 925-7272  
7-Pack IGBT Module  
www.pwrx.com  
200 Amperes / 600 Volts  
Maximum Ratings, Tj=25°C unless otherwise specified  
Ratings  
Symbol  
QIA0620004  
Units  
Collector Emitter Voltage  
Gate Emitter Voltage  
VCES  
VGES  
IC  
600  
±20  
Volts  
Volts  
Collector Current  
200  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
°C  
Peak Collector Current, 1msec  
Diode Forward Current  
ICM  
IF  
400  
200  
Diode Surge Current , 1msec  
SCR Forward Current, Tcase= 80ºC  
SCR Surge Current, Half Cycle t=8.3msec  
Junction Temperature  
IFM  
IT(DC)  
ITSM  
Tj  
400  
100  
500  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-
-55 to 125  
26  
°C  
Mounting Torque, Terminal Screws  
Mounting Torque, Mounting Screws  
Module Weight (Typical)  
V Isolation  
in-lb  
-
26  
in-lb  
-
442  
Grams  
Volts  
VRMS  
2500  
Static Electrical Characteristics, Tj=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
Units  
Collector Cutoff Current  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
VCE=VCES VGE=0V  
VGE=VGES VCE=0V  
IC=30mA, VCE=10V  
IC=200A, VGE=15V  
IC=100A, VGE=15V  
-
-
mA  
μA  
Gate Leakage Current  
-
4.0  
-
-
10.0  
7.5  
2.6  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
6.0  
2.3  
1.8  
Volts  
Volts  
Volts  
-
2.1  
VCC=300V,  
IC=200A, VGS=15V  
Total Gate Charge  
QG  
-
-
1700  
nC  
Diode Forward Voltage  
VFM  
VFM  
VTM  
IRRM  
IDRM  
IE=200A, VGS=0V  
IE=50A, VGS=0V  
IF=100A  
-
-
-
-
-
2.3  
2.6  
2.4  
1.35  
15  
Volts  
Volts  
Volts  
mA  
Regen Diode Forward Voltage  
SCR Forward On-State Voltage  
SCR Reverse Leakage Current, Peak  
SCR Forward Leakage Current, Peak  
-
-
-
-
VRRM=600V  
VDRM=600V  
15  
mA  
Dynamic Electrical Characteristics, Tj=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Input Capacitance  
Cies  
Coes  
Cres  
td(on)  
tr  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TBD  
TBD  
TBD  
900  
700  
2.1  
nF  
nF  
nF  
ns  
ns  
µs  
ns  
ns  
μC  
VGE=0V  
VCE=25V  
f=1KHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn on Delay time  
VCC=300V  
IC=200A  
VGE1=VGE2=15V  
RG=20Ω turn-on  
RG=10Ω turn-off  
Rise Time  
Turn- off Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
tf  
300  
170  
2.5  
Diode Reverse Recovery Time  
Diode Reverse Recovery Charge  
trr  
IF=200A  
diF/dt=-400A/μS  
Qrr  
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
IGBT  
Diode  
-
-
-
-
0.17  
0.30  
0.60  
0.21  
0.20  
0.36  
0.80  
0.27  
Thermal Resistance, Junction to Case  
RθJC  
°C/W  
Regen Diode  
SCR  
Preliminary  
Page 2  
1/29/2008  
12

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