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Q62702-B663

更新时间： 2024-09-09 22:27:11

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	31K
描述
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt tuning diode Designed for low tuning voltage operation)

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Q62702-B663 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.55
最小击穿电压：	7 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	15.09%	最小二极管电容比：	1.55
标称二极管电容：	5.3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

Q62702-B663 数据手册

BBY 51-03W

Silicon Tuning Diode

High Q hyperabrupt tuning diode

Designed for low tuning voltage operation

For VCO's in mobile communications equipment

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Package

Pin Configuration

BBY 51-03W

Q62702-B663

SOD-323

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

BBY 51-03W

Unit

Reverse voltage

Forward current

I_F

°C

Operating temperature range

Storage temperature range

T_op

-55 +150°C

-55...+150°C

T_stg

°C

______________________________

1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm

Semiconductor Group

Edition A01, 03.05.95

12 3

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