PZT2907AT1G

更新时间： 2024-02-28 10:46:09

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管 PC
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4页	108K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistor

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PZT2907AT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.63
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	227023	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE N	Samacsys Released Date：	2015-09-08 07:41:10
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	100 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

PZT2907AT1G 数据手册

PZT2907AT1,

SPZT2907AT1G

Preferred Device

PNP Silicon

Epitaxial Transistor

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear

and switching applications. The device is housed in the SOT-223

package which is designed for medium power surface mount

applications.

http://onsemi.com

Features

SOT−223

CASE 318E

STYLE 1

 NPN Complement is PZT2222AT1

 The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow

 SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved

thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.

The formed leads absorb thermal stress during soldering eliminating

the possibility of damage to the die.

COLLECTOR

2, 4

BASE

 AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements

EMITTER

 Pb−Free Packages are Available*

MARKING DIAGRAM

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Symbol Value

Unit

Vdc

AYW

P2F G

−60

CEO

CBO

EBO

Vdc

−5.0

−600

Vdc

P2F

= Specific Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

Collector Current − Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

(Note: Microdot may be in either location)

Total Device Dissipation (Note 1)

T = 25C

1.5

mW/C

ORDERING INFORMATION

Thermal Resistance Junction−to−Ambient

(Note 1)

83.3

C/W

†

Device

Package

Shipping

Lead Temperature for Soldering,

0.0625 from case

PZT2907AT1

PZT2907AT1G

SOT−223 1,000 / Tape & Reel

260

C

Time in Solder Bath

Sec

SOT−223 1,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

Operating and Storage Temperature Range

T , T

−65 to

+150

C

stg

SPZT2907AT1G SOT−223 1,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

PZT2907AT3

SOT−223 4,000 / Tape & Reel

PZT2907AT3G

SOT−223 4,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

1. FR−4 with 1 oz and 713 mm of copper area.

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2011

Publication Order Number:

November, 2011 − Rev. 9

PZT2907AT1/D

12 3 4

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PZT2907AT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PZT2907AT3G	ONSEMI	类似代替	PNP Silicon Epitaxial Transistor
PZT2222AT3G	ONSEMI	类似代替	NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2222AT1G	ONSEMI	类似代替	NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

与PZT2907AT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT2907AT3	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistor
PZT2907AT3	ROCHESTER	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261A
PZT2907AT3G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistor
PZT2907A-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2907A-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
PZT2907A-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
PZT2907ATRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT2907ATRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2907ATRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PZT2907ATRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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