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PZT2907ATRL

更新时间: 2024-09-27 13:12:35
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恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管IOT
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
TRANSISTOR 0.6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZT2907ATRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):45 ns
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

PZT2907ATRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
PZT2907A  
PNP switching transistor  
1999 Apr 14  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 02  

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