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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PZT2222AT1G
PZT2222AT1G PDF预览

PZT2222AT1G

更新时间： 2024-02-15 23:33:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 139K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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PZT2222AT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-261AA
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

PZT2222AT1G 数据手册

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by PZT2222AT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and switching  
applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for  
medium power surface mount applications.  
SOT-223 PACKAGE  
NPN SILICON  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
•
•
•
PNP Complement is PZT2907AT1  
The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.  
SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal  
conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed  
leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of  
damage to the die.  
4
•
Available in 12 mm tape and reel  
Use PZT2222AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel.  
Use PZT2222AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel.  
COLLECTOR  
2, 4  
1
2
3
BASE  
1
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage (Open Collector)  
Collector Current  
V
V
V
40  
75  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
Watts  
°C  
CEO  
CBO  
EBO  
6.0  
I
C
600  
(1)  
Total Power Dissipation up to T = 25°C  
P
D
1.5  
A
Storage Temperature Range°  
Junction Temperature°  
T
– 65 to +150  
150  
stg  
T
J
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
R
83.3  
°C/W  
θJA  
Lead Temperature for Soldering, 0.0625″ from case  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
DEVICE MARKING  
P1F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
40  
°75°  
6.0  
—
—
°—°  
—
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, I = 0)  
C
E
(BR)CBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
Vdc  
E
C
Base-Emitter Cutoff Current (V  
CE  
= 60 Vdc, V  
= – 3.0 Vdc)  
I
20  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
BE  
BEX  
CEX  
EBO  
Collector-Emitter Cutoff Current (V  
CE  
= 60 Vdc, V  
BE  
= – 3.0 Vdc)  
I
—
10  
Emitter-Base Cutoff Current (V  
EB  
= 3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
100  
C
2
1. Device mounted on an epoxy printed circuit board 1.575 inches x 1.575 inches x 0.059 inches; mounting pad for the collector lead min. 0.93 inches .  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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PZT2222AT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PZT2222AT1 ONSEMI

完全替代

 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2222AT3G ONSEMI

类似代替

 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZT2222AT3 ONSEMI

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 		NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2222AT3G ONSEMI

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PZT2222A-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2222ATRL NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2222ATRL13 YAGEO

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT2222ATRL13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.6 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2222-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT2222-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
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 		TRANSISTOR 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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