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PZT2907A

更新时间： 2024-09-27 10:19:15

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SECOS		晶体晶体管 IOT
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2页	292K
描述
Silicon Planar Medium Power Transistor

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PZT2907A 数据手册

PZT2907A

PNP Silicon

Silicon Planar Medium Power Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-223

DESCRIPTION



The PZT2907A is designed for general purpose amplifier

and high-speed switching, medium power switching applications.

MARKING

Collector

Emitter

2907A



Base

 = Date code

Millimeter

REF.

Min.

6.30

6.70

3.30

1.42

Max.

6.70

7.30

3.70

1.90

Min.

Max.

0.10

2.00

0.35

1.05

0.02

1.50

0.25

0.85

4.60 REF.

2.30 REF.

0.60

0.02

0°

0.80

0.10

10°

2.90

3.10

13 TYP.

MAXIMUM RATINGS ^(T_A^{=25 °C, unless otherwise specified)}

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-60

Unit

-60

-5

-600

1.5

Total Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

P_D

T_J, T_STG

+150, -55 ~ +150

℃

ELECTRICALCHARACTERISTICS (T_A=25 °C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Collector - Base Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

-60

I_C= -10uA

Collector - Emitter Breakdown

Voltage

V_(BR)CEO

-60

I_C= -10mA

Emitter - Base Breakdown Voltage

Collector Cut - Off Current

Emitter Cut - Off Current

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

I_C= -10uA

-10

-50

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

V_CB= -50V

I_CEX

V_CE= -30V, V_BE= -0.5V

I_C= -150mA, I_B= -15mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

I_C= -150mA, I_B= -15mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

V_CE= -10V, I_C= -100 uA

V_CE= -10V, I_C= -1mA

V_CE= -10V, I_C= -10mA

V_CE= -10V, I_C= -150mA

V_CE= -10V, I_C= -500mA

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE(sat)

h_FE1

-0.2

Collector - Emitter Saturation Voltage

Base - Emitter Voltage

-0.5

100

h_FE2

DC Current Gain

h_FE3

180

h_FE4

300

h_FE5

V_CB= -20V, I_C= -50mA,

f =100 MHz

Transition Frequency

f_T

200

MHz

Collector Output Capacitance

C_OB

V_CB= -10 V, f = 1 MHz

*Pulse Test：Pulse width ≦ 380 us, Duty cycle ≦ 2 %

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

31-May-2010 Rev. B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT2907A,115	NXP	获取价格	PZT2907A - PNP switching transistor SC-73 4-Pin
PZT2907A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purp
PZT2907A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261A
PZT2907AE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PZT2907A-F40	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
PZT2907AG-AA3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
PZT2907AHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel:2.5Kpcs/Reel;
PZT2907AL-AA3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
PZT2907AQ	YANGJIE	获取价格	SOT-223
PZT2907A-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN, BIP General Pur

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