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PZT2907AT1/D

更新时间： 2024-01-11 09:58:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor

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PZT2907AT1/D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.63
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227023Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE NSamacsys Released Date：2015-09-08 07:41:10
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

PZT2907AT1/D 数据手册

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ON Semiconductort  
PZT2907AT1  
ON Semiconductor Preferred Device  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistor  
This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear  
and switching applications. The device is housed in the SOT-223  
package which is designed for medium power surface mount  
applications.  
SOT-223 PACKAGE  
PNP SILICON  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
• NPN Complement is PZT2222AT1  
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow  
• SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved  
thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering eliminating  
the possibility of damage to the die.  
COLLECTOR  
2,4  
4
1
2
3
BASE 1  
• Available in 12 mm tape and reel  
Use PZT2907AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel.  
Use PZT2907AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel.  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
–60  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Collector-Base Voltage  
–60  
Vdc  
Emitter-Base Voltage  
–5.0  
–600  
Vdc  
Collector Current  
I
C
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance — Junction-to-Ambient (surface mounted)  
R
83.3  
°C/W  
θ
JA  
L
Lead Temperature for Soldering, 0.0625″ from case  
Time in Solder Bath  
T
260  
10  
°C  
Sec  
DEVICE MARKING  
P2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
V
–60  
–60  
–5.0  
—
°—°  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
C
B
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
°—°  
°—°  
—
—
Vdc  
E
C
Collector-Base Cutoff Current (V = –50 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
–10  
–50  
–50  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
CB  
E
Collector-Emitter Cutoff Current (V = –30 Vdc, V = 0.5 Vdc)  
I
CEX  
—
CE  
BE  
Base-Emitter Cutoff Current (V = –30 Vdc, V = –0.5 Vdc)  
I
BEX  
—
—
CE  
BE  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 5  
PZT2907AT1/D  
12345678

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