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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PZT2907AT1
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PZT2907AT1

更新时间： 2024-02-06 21:07:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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PZT2907AT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.63
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227023Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE NSamacsys Released Date：2015-09-08 07:41:10
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

PZT2907AT1 数据手册

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by PZT2907AT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and  
switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is  
designed for medium power surface mount applications.  
SOT-223 PACKAGE  
PNP SILICON  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
•
•
•
NPN Complement is PZT2222AT1  
The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow  
SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal  
conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed  
leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of  
damage to the die.  
COLLECTOR  
2,4  
•
Available in 12 mm tape and reel  
4
Use PZT2907AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel.  
Use PZT2907AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel.  
1
2
3
BASE 1  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
Vdc  
Emitter-Base Voltage  
–5.0  
–600  
Vdc  
Collector Current  
I
C
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance — Junction-to-Ambient (surface mounted)  
R
83.3  
°C/W  
θJA  
Lead Temperature for Soldering, 0.0625″ from case  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
DEVICE MARKING  
P2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
V
V
–60  
–60  
–5.0  
—
°—°  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
E
(BR)CBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
(BR)CEO  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
°—°  
°—°  
—
—
Vdc  
E
C
Collector-Base Cutoff Current (V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0)  
I
–10  
–50  
–50  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
E
CBO  
Collector-Emitter Cutoff Current (V  
CE  
= –30 Vdc, V  
= 0.5 Vdc)  
= –0.5 Vdc)  
I
—
BE  
CEX  
Base-Emitter Cutoff Current (V  
CE  
= –30 Vdc, V  
BE  
I
—
—
BEX  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 4  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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