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PXAC243502FVV1XWSA1

更新时间： 2024-11-24 15:48:43
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 406K
描述
RF Power Field-Effect Transistor,

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PXAC243502FVV1XWSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

PXAC243502FVV1XWSA1 数据手册

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PXAC243502FV  
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor  
350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz  
Description  
The PXAC243502FV LDMOS FET is a 350-watt LDMOS FET de-  
signed for use in power amplifier applications in the 2300 MHz to  
2400 MHz frequency band. Features include an asymmetric design  
with high gain and a thermally-enhanced package with earless flange.  
Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, this device  
provides excellent thermal performance and superior reliability.  
PXAC243502FV  
Package H-37275-4  
Features  
Single-carrier WCDMA  
Broadband Performance  
VDD = 28 V, IDQ = 850 mA, POUT = 48.3 dBm,  
3GPP WCDMA signal, 10 dB PAR  
•ꢀ Asymmetric design  
- Main: 150 W P1dB  
- Peak: 200 W P1dB  
•ꢀ Broadband internal matching  
20  
55  
•ꢀ CW performance at 2350 MHz, 28 V  
Efficiency  
- Ouput power = 250 W P  
- Efficiency = 46%  
- Gain = 16 dB  
1dB  
18  
45  
16  
35  
•ꢀ Integrated ESD protection  
Gain  
•ꢀ Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/  
14  
25  
JEDEC JS-001)  
•ꢀ Low thermal resistance  
12  
15  
•ꢀ Pb-free and RoHS-compliant  
c243502fv-gr3  
10  
2150  
5
2250  
2350  
2450  
2550  
Frequency (MHz)  
RF Characteristics  
Single-carrier WCDMA Specifications (tested in Infineon production test fixture in Doherty configuration)  
= 28 V, V = 1.0 V, I = 850 mA, P = 68 W avg, ƒ = 2400 MHz  
V
DD  
GS(peak)  
DQ  
OUT  
3GPP WCDMA signal, 3.84 MHz channel bandwidth, 10 dB peak/average @ 0.01% CCDF  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
14.0  
42  
Typ  
15.0  
45  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
Adjacent Channel Power Ratio  
hD  
—
%
ACPR  
—
–32  
–26  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 03.2, 2016-06-22  
1234567...10

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