5秒后页面跳转
| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.A.2 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 | 风险等级： | 5.82 |
| 具有ADC： | NO | 地址总线宽度： | 20 |
| 位大小： | 16 | CPU系列： | XA |
| 最大时钟频率： | 32 MHz | DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | NO | 外部数据总线宽度： | 16 |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J44 | 长度： | 16.5862 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | I/O 线路数量： | 24 |
| 端子数量： | 44 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | PWM 通道： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC44,.7SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字节）： | 1024 | ROM（单词）： | 16384 |
| ROM可编程性： | OTPROM | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 速度： | 32 MHz | 子类别： | Microcontrollers |
| 最大压摆率： | 80 mA | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 16.5862 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PXAC37KFA/00,512 | NXP |
功能相似  |
PXAC37KFA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PXAC37KFA/00,512 | NXP |
获取价格 |
PXAC37KFA |
|
| PXAC37KFBD | NXP |
获取价格 |
XA 16-bit microcontroller family 32K/1024 OTP CAN transport layer controller 1 UART, 1 SPI |
|
| PXAC37KFBD | PHILIPS |
获取价格 |
Microcontroller, 16-Bit, UVPROM, XA CPU, 32MHz, CMOS, PQFP44, |
|
| PXAC37KFBD/00,157 | NXP |
获取价格 |
XA-C3 - XA 16-bit microcontroller family 32K/1024 OTP/ROM CAN transport layer controller 1 |
|
| PXAD184218FV-V1 | MACOM |
获取价格 |
High Power RF LDMOS FET 420 W; 28 V; 1805 - 1880 MHz |
|
| PXAD184218FVV1R0 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
|
| PXAD184218FVV1R0XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
|
| PXAD184218FVV1R2 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
|
| PXAD184218FVV1R2XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
|
| PXAD214218FV-V1 | MACOM |
获取价格 |
High Power RF LDMOS FET 430 W; 28 V; 2110 - 2170 MHz |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
