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PTV9.1B-E3/84A

更新时间： 2024-11-29 19:06:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试二极管
页数	文件大小	规格书
4页	92K
描述
Zener Diode, 9.65V V(Z), 5%, 0.6W,

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PTV9.1B-E3/84A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	6 Ω	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大功率耗散：	0.6 W
标称参考电压：	9.1 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

PTV9.1B-E3/84A 数据手册

PTV3.9B thru PTV36B

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount Power Voltage-Regulating Diodes

FEATURES

eSMP^®Series

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

• Ideal for automated placement

• Low Zener impedance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-220AA (SMP)

MECHANICAL DATA

Case: DO-220AA (SMP)

PRIMARY CHARACTERISTICS

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

V_Znom.

4.2 V to 38 V

1500 mW

600 mW

_totat T_L= 75 °C

_totat T_L= 25 °C

T_Jmax.

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

150 °C

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Zspecification

Int. construction

Pulse current

Single

Polarity: Color band denotes cathode end

TYPICAL APPLICATIONS

For general purpose regulation and protection applications.

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

(according J-STD-020)

DO-220AA (SMP)

24 mg

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Power dissipation at T_L= 75 °C (fig. 1) ⁽¹⁾

Power dissipation at T_A= 25 °C (fig. 1) ⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 200 mA for all types ⁽³⁾

P_tot

V_F

1500

600

1.5

Operating junction temperature

Storage temperature range

T_J

150

°C

T_STG

- 65 to + 150

Notes

(1)

(2)

(3)

Mounted on PCB with 5.0 mm x 5.0 mm copper pads attached to each terminal

Mounted on minimum recommended pad layout

Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle

Revision: 25-May-12

Document Number: 88484

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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PTV9.1B-E3/84A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PTV9.1B-M3/84A	VISHAY	完全替代	1.5W,9.1V, SMP ZENER
PTV9.1B-M3/85A	VISHAY	类似代替	1.5W,9.1V, SMP ZENER

与PTV9.1B-E3/84A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTV9.1B-E3/85A	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.65V V(Z), 5%, 0.6W,
PTV9.1B-M3/84A	VISHAY	获取价格	1.5W,9.1V, SMP ZENER
PTV9.1B-M3/85A	VISHAY	获取价格	1.5W,9.1V, SMP ZENER
PTVA030121EA	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12
PTVA030121EA-V1	MACOM	获取价格	High Power RF LDMOS FET 12 W; 50 V; 390 - 450 MHz
PTVA030121EAV1R0	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12
PTVA030121EAV1R0XTMA1	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12
PTVA030121EAV1R250	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12
PTVA030121EAV1R250XTMA1	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12
PTVA035002EV	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50

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