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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-220AA |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 4 Ω | JEDEC-95代码： | DO-220AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 8.2 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 6.29% |
| 工作测试电流： | 40 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PTV9.1B | VISHAY |
获取价格 |
Low Zener impedance |
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| PTV9.1B-E3/84A | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 9.65V V(Z), 5%, 0.6W, |
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| PTV9.1B-E3/85A | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 9.65V V(Z), 5%, 0.6W, |
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| PTV9.1B-M3/84A | VISHAY |
获取价格 |
1.5W,9.1V, SMP ZENER |
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| PTV9.1B-M3/85A | VISHAY |
获取价格 |
1.5W,9.1V, SMP ZENER |
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| PTVA030121EA | INFINEON |
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12 |
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| PTVA030121EA-V1 | MACOM |
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High Power RF LDMOS FET 12 W; 50 V; 390 - 450 MHz |
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| PTVA030121EAV1R0 | INFINEON |
获取价格 |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12 |
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| PTVA030121EAV1R0XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12 |
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| PTVA030121EAV1R250 | INFINEON |
获取价格 |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12 |
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