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PP4B10AF

更新时间： 2024-11-15 17:15:31

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尼克森微 - NIKOSEM		/
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描述
TO-220F

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PP4B10AF 数据手册

N-Channel Enhancement Mode

Field Effect Transistor

PP4B10AF

NIKO-SEM

TO-220F

Halogen-Free & Lead-Free

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS

100V

R_DS(ON)

I_D

79A

4.4mΩ

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

Drain-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMITS

100

UNITS

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current¹

Avalanche Current

Avalanche Energy

I_DM

I_AS

230

L = 1mH

E_AS

392

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

Power Dissipation

P_D

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

-55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

°C / W

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

62.5

2.5

Steady-State

R_JA

R_JC

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

K-27-3

REV 1.0

12 3 4

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