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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PN2907A-AP
PN2907A-AP PDF预览

PN2907A-AP

更新时间： 2024-11-04 06:04:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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PN2907A-AP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：548415
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：MCC TO-92
Samacsys Released Date：2019-08-10 21:50:20Is Samacsys：N
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：110 ns
最大开启时间（吨）：50 nsBase Number Matches：1

PN2907A-AP 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
PN2907A  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
Through Hole Package  
Capable of 600mWatts of Power Dissipation and 600mA Ic  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Marking:MPS2907A  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
PNP General  
Purpose Amplifier  
•
•
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
TO-92  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
E
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
Base Cutoff Current  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
B
5.0  
Vdc  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, IE=0)  
ICEX  
ICBO  
C
0.1  
10.0  
µAdc  
(VCB=50Vdc, IE=0, TA=150°C)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
75  
100  
100  
100  
50  
300  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
D
VCE(sat)  
0.4  
1.6  
Vdc  
Vdc  
C
B
E
VBE(sat)  
1.3  
2.6  
G
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=50mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=100kHz)  
Input Capacitance  
DIMENSIONS  
MM  
200  
MHz  
pF  
Ccbo  
Cibo  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
NOTE  
8.0  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
(VEB=2.0Vdc, IC=0, f=100kHz)  
30.0  
pF  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
ts  
tf  
E
G
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc,  
IB1=15mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
10  
40  
80  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 5  
2008/02/01  
1234

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