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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PN2907A-AP-HF
PN2907A-AP-HF PDF预览

PN2907A-AP-HF

更新时间： 2024-11-04 13:12:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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PN2907A-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

PN2907A-AP-HF 数据手册

 浏览型号PN2907A-AP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PN2907A-AP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
PN2907A  
Features  
·
·
Through Hole Package  
Capable of 600mWatts of Power Dissipation  
PNP General  
Purpose Amplifier  
Pin Configuration  
Bottom View  
C
B
E
TO-92  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
E
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10mAdc, IC=0)  
B
5.0  
Vdc  
Base Cutoff Current  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, IE=0)  
ICEX  
ICBO  
C
0.1  
mAdc  
10.0  
(VCB=50Vdc, IE=0, TA=150°C)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
75  
100  
100  
100  
50  
300  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
D
VCE(sat)  
0.4  
1.6  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
1.3  
2.6  
G
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
DIMENSIONS  
MM  
(IC=50mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=100kHz)  
Input Capacitance  
(VEB=2.0Vdc, IC=0, f=100kHz)  
200  
MHz  
pF  
Ccbo  
Cibo  
INCHES  
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
NOTE  
8.0  
.185  
.185  
---  
30.0  
pF  
.020  
.145  
.105  
0.63  
3.68  
2.67  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
E
G
td  
tr  
ts  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc,  
IB1=15mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
10  
40  
80  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%  
www.mccsemi.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN2907AAPM CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN2907AAPMLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
PN2907AAPP CENTRAL

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