是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.73 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
PMV213SN,215 | NXP | PMV213SN - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-236 3-Pin |
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PMV22EN | TYSEMI | 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET Logic-level compatible |
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PMV22EN | NXP | 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET |
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PMV22EN,215 | NXP | PMV22EN - 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin |
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PMV230ENEA | NXP | SMALL SIGNAL, FET |
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PMV240SP | NEXPERIA | 100 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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