PMV28UN

更新时间： 2024-01-07 06:52:31

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	806K
描述
20 V, 3.3 A N-channel Trench MOSFET Low-side loadswitch

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PMV28UN 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.5	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMV28UN 数据手册

PMV28UN

T23

20 V, 3.3 A N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 26 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Low threshold voltage

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 Low-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

V_GS

-8

[1]

I_D

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C

3.3

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 3.3 A; T_j= 25 °C

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 6 cm².

2. Pinning information

Table 2.

Pinning information

Symbol Description

Simplified outline

Graphic symbol

gate

source

drain

mbb076

SOT23 (TO-236AB)

12 3 4 5 6 7...15

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