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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-236 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 0.87 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PMV22EN | TYSEMI | 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET Logic-level compatible |
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| PMV22EN | NXP | 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET |
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| PMV22EN,215 | NXP | PMV22EN - 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin |
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| PMV230ENEA | NXP | SMALL SIGNAL, FET |
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| PMV240SP | NEXPERIA | 100 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMV250EPEA | NEXPERIA | 40 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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