5秒后页面跳转
PMEG4010ET PDF预览

PMEG4010ET

更新时间: 2024-11-18 10:07:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 79K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

PMEG4010ET 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC, SMD, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.33配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.13 VJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.42 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PMEG4010ET 数据手册

 浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMEG4010ET的Datasheet PDF文件第7页 
PMEG4010EH; PMEG4010EJ;  
PMEG4010ET  
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers  
Rev. 04 — 21 March 2007  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
Configuration  
JEITA  
JEDEC  
PMEG4010EH  
PMEG4010EJ  
PMEG4010ET  
SOD123F  
SOD323F  
SOT23  
-
-
single  
single  
single  
SC-90  
-
-
TO-236AB  
1.2 Features  
I Forward current: IF 1 A  
I Reverse voltage: VR 40 V  
I Very low forward voltage  
I Small SMD plastic packages  
1.3 Applications  
I Low voltage rectification  
I High efficiency DC-to-DC conversion  
I Switch mode power supply  
I Reverse polarity protection  
I Low power consumption applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
sp 55 °C  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
A
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
T
-
-
-
VR  
-
40  
V
[1]  
VF  
IF = 1000 mA  
-
540  
640  
mV  
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  

与PMEG4010ET相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG4010ETP NXP

获取价格

1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
PMEG4010ETP NEXPERIA

获取价格

High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG4010ETP,115 NXP

获取价格

PMEG4010ETP - 40 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier SOD 2-Pin
PMEG4010ETP-Q NEXPERIA

获取价格

High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG4010ET-Q NEXPERIA

获取价格

40 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG4010ETR NXP

获取价格

High-temperature 40 V, 1 A Schottky barrier rectifier
PMEG4010ETR NEXPERIA

获取价格

High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG4010ETR,115 NXP

获取价格

PMEG4010ETR - High-temperature 40 V, 1 A Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin
PMEG4010ETR-Q NEXPERIA

获取价格

High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG4010EXE NEXPERIA

获取价格

40 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction