PMEG4010ETR

更新时间： 2024-11-20 12:23:15

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恩智浦 - NXP		整流二极管光电二极管
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描述
High-temperature 40 V, 1 A Schottky barrier rectifier

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PMEG4010ETR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	PURE TIN	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PMEG4010ETR 数据手册

PMEG4010ETR

High-temperature 40 V, 1 A Schottky barrier rectifier

26 September 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat

lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features and benefits

Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

Reverse voltage: V_R≤ 40 V

•

Low forward voltage

High power capability due to clip-bonding technology

Small and flat lead SMD plastic package

AEC-Q101 qualified

High temperature T_j≤ 175 °C

1.3 Applications

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch mode power supply

•

Reverse polarity protection

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

1.4

Unit

I_F

forward current

T_sp= 165 °C

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5 ; f = 20 kHz; T_amb≤ 140 °C;

square wave

[1]

δ = 0.5 ; f = 20 kHz; T_sp≤ 170 °C;

square wave

V_R

V_F

I_R

reverse voltage

forward voltage

reverse current

T_j= 25 °C

I_F= 1 A; T_j= 25 °C

430

490

µA

T_j= 25 °C; V_R= 40 V; t_p≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; pulsed

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