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PMEG4020EPK

更新时间: 2024-11-10 11:12:39
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 697K
描述
40 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

PMEG4020EPK 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DFN1608D, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.63
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.66 V
JESD-30 代码:R-PDSO-N2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:5 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.415 W
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:30 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PMEG4020EPK 数据手册

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PMEG4020EPK  
40 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier  
11 February 2014  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with  
an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a leadless ultra small  
DFN1608D-2 (SOD1608) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible  
and solderable side pads.  
2. Features and benefits  
Average forward current: IF(AV) ≤ 2 A  
Reverse voltage: VR ≤ 40 V  
Low forward voltage VF ≤ 660 mV  
Low reverse current  
AEC-Q101 qualified  
Solderable side pads  
Package height typ. 0.37 mm  
Ultra small and leadless SMD plastic package  
3. Applications  
Low voltage rectification  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Switch mode power supply  
LED backlight for mobile application  
Low power consumption applications  
Ultra high-speed switching  
Reverse polarity protection  
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF(AV)  
average forward  
current  
δ = 0.5; f = 20 kHz; Tsp ≤ 130 °C;  
square wave  
-
-
2
A
δ = 0.5; f = 20 kHz; Tamb ≤ 25 °C;  
square wave  
[1]  
-
-
2
A
VR  
VF  
reverse voltage  
forward voltage  
Tj = 25 °C  
-
-
-
40  
V
IF = 2 A; pulsed; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;  
Tj = 25 °C  
585  
660  
mV  
 
 
 
 

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