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PMEG4010ETR

更新时间: 2024-11-21 11:15:55
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 284K
描述
High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

PMEG4010ETR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.68 W
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向恢复时间:0.0044 µs表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

PMEG4010ETR 数据手册

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PMEG4010ETR  
High temperature 40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier  
1 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in  
a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A  
Reverse voltage: VR ≤ 40 V  
Low forward voltage  
High power capability due to clip-bonding technology  
Small and flat lead SMD plastic package  
High temperature Tj ≤ 175 °C  
3. Applications  
Low voltage rectification  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Switch mode power supply  
Reverse polarity protection  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF(AV)  
average forward  
current  
δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; Tsp  
170 °C  
-
-
1
A
VR  
VF  
IR  
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
Tj = 25 °C  
-
-
-
-
40  
V
IF = 1 A; Tj = 25 °C  
430  
10  
490  
50  
mV  
µA  
VR = 40 V; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;  
Tj = 25 °C; pulsed  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
K
A
1
2
2
sym001  
CFP3 (SOD123W)  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 

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