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PMEG4005AEV

更新时间: 2024-09-16 11:13:19
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 180K
描述
40 V, 0.5 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction

PMEG4005AEV 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.62Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PMEG4005AEV 数据手册

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PMEG4005AEV  
40 V, 0.5 A very low VF Schottky barrier rectifier  
13 February 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated  
guard ring for stress protection, encapsulated in a SOT666 ultra small SMD plastic package.  
2. Features and benefits  
Very low forward voltage  
High surge current  
Ultra small plastic SMD package  
3. Applications  
Low voltage rectification  
High efficiency DC/DC conversion  
Voltage clamping  
Inverse polarity protection  
Low power consumption applications.  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
VR  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
-
Max  
40  
Unit  
V
reverse voltage  
forward voltage  
Tj = 25 °C  
-
-
VF  
IF = 500 mA; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;  
Tamb = 25 °C  
420  
470  
mV  
IR  
reverse current  
VR = 40 V; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;  
pulsed  
-
30  
100  
µA  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode  
cathode  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
K
A
A
K
K
6
5
4
2
K, K  
K, K  
3
A, A  
sym038  
4
anode  
5
cathode  
cathode  
1
2
3
SOT666  
6
 
 
 
 
 

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