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PMD2001D,115

更新时间: 2024-11-12 21:12:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 165K
描述
PMD2001D - MOSFET driver TSOP 6-Pin

PMD2001D,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:PLASTIC, SC-74, TSOP-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.41
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:COMMON BASE AND COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):5 ns
最大开启时间(吨):6 nsBase Number Matches:1

PMD2001D,115 数据手册

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PMD2001D  
MOSFET driver  
Rev. 02 — 28 August 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP transistor pair connected as push-pull driver in a SOT457 (SC-74)  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features  
I Switching transistors in push-pull configuration  
I Application-optimized pinout  
I Space-saving solution  
I Internal connections to minimize layout effort  
I Reduces component count  
1.3 Applications  
I MOSFET driver  
I Power bipolar transistor driver  
I Output current booster for operational amplifier  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity  
VCEO  
IC  
collector-emitter voltage  
collector current  
open base  
-
-
-
-
-
-
40  
0.6  
1
V
A
A
ICM  
peak collector current  
single pulse;  
tp 1 ms  
 
 
 
 
 

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