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PMD5002K

更新时间: 2024-01-30 14:07:36
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMD5002K 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):83 ns最大开启时间(吨):7 ns
Base Number Matches:1

PMD5002K 数据手册

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