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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1307 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 65 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMD9001D,115 | NXP |
功能相似  |
PMD9001D - MOSFET driver TSOP 6-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD9001D,115 | NXP |
获取价格 |
PMD9001D - MOSFET driver TSOP 6-Pin |
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| PMD9002D | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMD9002D,115 | NXP |
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PMD9002D - MOSFET driver TSOP 6-Pin |
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| PMD9002DT1 | NXP |
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IC,DUAL MOSFET DRIVER,TSOP,6PIN,PLASTIC |
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| PMD9003D | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMD9003D,115 | NXP |
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PMD9003D - MOSFET driver TSOP 6-Pin |
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| PMD9010D | NXP |
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MOSFET driver |
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| PMD9010D,115 | NXP |
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PMD9010D - MOSFET driver TSOP 6-Pin |
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| PMD9050D | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMD9050D,115 | NXP |
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