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PMD4002K

更新时间： 2024-11-25 06:04:23

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恩智浦 - NXP		驱动器
页数	文件大小	规格书
15页	144K
描述
MOSFET driver

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PMD4002K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMD4002K 数据手册

PMD4002K

MOSFET driver

Rev. 01 — 3 November 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN switching transistor and high-speed switching diode to protect the base-emitter

junction in reverse direction in a SOT346 (SC-59A/TO-236) small Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Switching transistor and high-speed switching diode as driver

I High-speed switching diode to protect the base-emitter junction

I Application-optimized pinout

I Internal connections to minimize layout effort

I Space-saving solution

I Reduces component count

1.3 Applications

I Power MOSFET driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

NPN transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_C

open base

0.6

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

Diode

I_F

forward current

forward voltage

−0.2

−1.1

[1]

V_F

I_F= −200 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...15

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