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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD17K100LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD17K100PBFREE#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K100TIN/LEAD#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K60 | ISC |
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Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
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| PMD17K60 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| PMD17K60#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K80 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| PMD17K80 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
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| PMD17K80#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K80LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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