5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBTA44 | NXP |
获取价格 |
400 V, 0.3 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PMBTA44 | NEXPERIA |
获取价格 |
400 V, 0.3 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction |
|
| PMBTA44-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
400 V, 0.3 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction |
|
| PMBTA45 | NXP |
获取价格 |
500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat transistor |
|
| PMBTA45 | NEXPERIA |
获取价格 |
500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PMBTA45-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction |
|
| PMBTA55 | ETC |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
| PMBTA55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
|
| PMBTA55-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| PMBTA55TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
