是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 13.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 32.6 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PHD16N03LT,118 | NXP |
功能相似 ![]() |
PHD16N03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PHD16N03LT,118 | NXP |
获取价格 |
PHD16N03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
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PHD16N03T | NXP |
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TrenchMOS standard level FET |
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PHD16N03T,118 | NXP |
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PHD16N03T - N-channel TrenchMOS standard level FET@en-us DPAK 3-Pin |
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PHD16N8-5A | PHILIPS |
获取价格 |
OT PLD, 5ns, PAD-Type, TTL, PQCC20, |
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PHD16N8-5N | NXP |
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OT PLD, 10ns, PDIP20 |
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PHD16N8-5N | PHILIPS |
获取价格 |
OT PLD, 5ns, PAD-Type, TTL, PDIP20, |
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PHD18D-H | AUK |
获取价格 |
Board Connector, 18 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Termina |
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PHD18H-H | AUK |
获取价格 |
Board Connector, 18 Contact(s), 2 Row(s), Female, 0.079 inch Pitch, Wire Terminal, Locking |
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PHD18NQ10T | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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PHD18NQ10T,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin |
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