PHD22NQ20T

更新时间： 2024-02-20 13:20:38

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
12页	90K
描述
N-channel TrenchMOS?? standard level FET

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PHD22NQ20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

PHD22NQ20T 数据手册

PHD22NQ20T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 08 March 2004

Product data

M3D300

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ General purpose switching.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 200 V

■ P_tot≤ 150 W

■ I_D≤ 21.1 A

■ R_DSon≤ 120 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT428 (D-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

Top view

MBK091

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.

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