PHD3055ET/R

更新时间： 2024-02-21 23:32:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	76K
描述
TRANSISTOR 10.3 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power

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PHD3055ET/R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

PHD3055ET/R 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

PowerMOS transistor

PHD3055E

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode

field-effect power transistor in a

plastic envelope suitable for surface

mounting featuring high avalanche

energy capability, stable blocking

voltage, fast switching and high

thermalcycling performance withlow

thermal resistance. Intended for use

in Switched Mode Power Supplies

(SMPS), motor control circuits and

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

Drain-source voltage

Drain current (DC)

Total power dissipation

Drain-source on-state resistance

Ω

P_tot

R_DS(ON)

0.15

general

purpose

switching

applications.

PINNING - SOT428

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

gate

drain

source

tab drain

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

I_D

Continuous drain current

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

Pulsed drain current

Total dissipation

T_mb= 25 ˚C

∆P_D/∆T_mbLinear derating factor

T_mb> 25 ˚C

0.33

± 30

W/K

V_GS

E_AS

Gate-source voltage

Single pulse avalanche

energy

_DD≤ 50 V; starting T_j= 25˚C; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 10 V

_DD≤ 50 V; starting T_j= 25˚C; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 10 V

I_AS

Peak avalanche current

T_j, T_stg

Operating junction and

storage temperature range

- 55

175

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction to

K/W

mounting base

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

ambient

pcb mounted, minimum

footprint

K/W

September 1997

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHD3055L	NXP	获取价格	PowerMOS transistor Logic level FET
PHD32UAA	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UAY	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UBA	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UBB	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UBY	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UCA	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UCB	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UCC	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
PHD32UCY	POWER-ONE	获取价格	PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output

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