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PHD108NQ03LT

更新时间： 2024-01-16 14:01:03

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恩智浦 - NXP		/
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14页	252K
描述
TrenchMOS logic level FET

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PHD108NQ03LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHD108NQ03LT 数据手册

PHP/PHB/PHD108NQ03LT

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 02 — 11 September 2002

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)

PHB108NQ03LT in SOT404 (D²-PAK)

PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK).

1.2 Features

■ Logic level compatible

■ Very low on-state resistance

■ Switched mode power supplies

1.3 Applications

■ DC to DC converters

1.4 Quick reference data

■ V_DS= 25 V

■ P_tot= 180 W

■ I_D= 75 A

■ R_DSon≤ 6 mΩ

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78, SOT404, SOT428, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base,

connected to

drain (d)

MBB076

Top view

MBK091

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB) SOT404 (D²-PAK)

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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