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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHD10N10E | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| PHD10N10E/T3 | NXP |
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11A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| PHD10N10E118 | NXP |
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TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| PHD110NQ03LT | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| PHD11N03LT | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHD11N06LT | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHD11N06LT/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 10.3 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET Gene |
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| PHD12D-H | AUK |
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Board Connector, 12 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Termina |
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| PHD12N10E | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| PHD12N10E118 | NXP |
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TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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