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PHD13003C

更新时间： 2024-09-23 21:17:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	123K
描述
1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN

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PHD13003C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHD13003C 数据手册

PHD13003C

NPN power transistor with integrated diode

Rev. 01 — 29 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with

integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 plastic package

1.2 Features and benefits

Fast switching

High voltage capability

High typical DC current gain

Integrated anti-parallel E-C diode

1.3 Applications

Compact fluorescent lamps (CFL)

Low power electronic lighting ballasts

Off-line self-oscillating power supplies

(SOPS) for battery charging

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

collector current

1.5

2.1

P_tot

total power

dissipation

T_lead≤ 25 °C; see Figure 1

V_CESM

collector-emitter

peak voltage

V_BE= 0 V

700

Static characteristics

h_FEDC current gain

I_C= 0.5 A; V_CE= 2 V;

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...12

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