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PHD13003C

更新时间： 2024-09-24 17:01:27

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瑞能 - WEEN		/
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13页	467K
描述
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT54 (TO92) plastic package

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PHD13003C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHD13003C 数据手册

PHD13003C

NPN power transistor with integrated diode

Rev.03 - 19 October 2021

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated

anti-parallel emitter-collector diode in a TO92 plastic package.

2. Features and beneﬁts

•

High typical DC current gain

Fast switching

•

High voltage capability

Integrated anti-parallel E-C diode

3. Applications

•

Compact ﬂuorescent lamps (CFL)

Low power electronic lighting ballasts

Oﬀ-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_CESM

collector-emitter peak

voltage

V_BE= 0 V

700

I_C

1.5

2.1

collector current

P_tot

total power dissipation

T_lead≤ 25 °C; Fig. 1

Conditions

Symbol Parameter

Static characteristics

Min

Typ

Max

Unit

h_FE

DC current gain

I_C= 0.5 A; V_CE= 2 V; T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...13

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