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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHD12NQ15T
PHD12NQ15T PDF预览

PHD12NQ15T

更新时间： 2024-09-22 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 114K
描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PHD12NQ15T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：93 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHD12NQ15T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
PHP12NQ15T, PHB12NQ15T  
PHD12NQ15T  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
VDSS = 150 V  
ID = 12.5 A  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 200 mΩ  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device  
hasvery lowon-state resistance. Itisintended for usein dc to dc converters and general purposeswitching applications.  
The PHP12NQ15T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB12NQ15T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.  
The PHD12NQ15T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
SOT428 (DPAK)  
tab  
tab  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
gate  
2
drain 1  
source  
2
2
3
1 2 3  
1
3
1
3
tab drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
150  
150  
± 20  
12.5  
8.8  
50  
88  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
Tmb = 25 ˚C  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.  
August 1999  
1
Rev 1.000  
1234567...12

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与PHD12NQ15T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHD12NQ15T/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHD13003C NXP

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 		1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
PHD13003C WEEN

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 		High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated
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